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双极结型晶体管的结构特点,放大作用-KIA MOS管

双极结型晶体管，外部引出三个极：集电极，发射极和基极，集电极从集电区引出，发射极从发射区引出，基极从基区引出（基区在中间）；BJT有放大作用，主要依靠它的发射极电流能够通过基区传输到达集电区而实现的，

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www.kiaic.com/article/detail/5319.html 2024-11-15

mos管做二极管用,场效应管当二极管用-KIA MOS管

由MOS管的结构可以看出，其衬底B与漏极D整好构成一个PN结，这个PN是由于MOS结构天然而成的，如果将MOS管的各个端进行特殊的连接，就可以得到等效的二极管。

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www.kiaic.com/article/detail/5318.html 2024-11-15

pd电源mos管,9a900v场效应管,KNF4890A参数中文资料-KIA MOS管

KNF4890A场效应管采用专有新型平面技术，漏源电压900V，漏极电流9.0A，低导通电阻RDS（ON）=1.2Ω，低栅极电荷，能够最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；快速恢复体二极管，确保性能稳定可靠，广泛应用于pc电源pd电源、适配器充电器、SMPS电源、LCD面板电...

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www.kiaic.com/article/detail/5317.html 2024-11-14

桥式整流器原理作用,桥式整流电路-KIA MOS管

桥式整流器，一种将交流电转换为直流电的电子元件，是利用二极管的单向导通性进行整流的最常用的电路。桥式整流器由四只整流硅芯片通过桥式连接，外部用绝缘材料封装而成。对于大功率的桥式整流器，还会在绝缘层外添加金属壳以增强散热效果。?

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www.kiaic.com/article/detail/5316.html 2024-11-14

串联谐振和并联谐振区别、应用-KIA MOS管

谐振是交流电路的一种特殊工作状态，在含有R、L、C的电路中，当总电流与电压同相时(电路呈电阻性)电路发生谐振。谐振根据不同的电路形式，可分为串联谐振和并联两类。串联谐振在R、L、C串联电路中，当电路中XL=XC时，电路的复阻抗Z=Rj(XL一XC.=R为纯电阻、称为...

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www.kiaic.com/article/detail/5315.html 2024-11-14

模电mos管,1200v3a,KND42120A场效应管参数引脚图-KIA MOS管

KND42120A场效应管漏源击穿电压1200V，漏极电流3A，具备高压和低导通电阻特性，提高系统效率；低导通电阻RDS(ON) 7Ω、低栅极电荷(17.5nC)最小化开关损耗；以及高速的响应能力提高切换速度，符合RoHS标准，快速恢复体二极管，确保性能稳定可靠，适用于适配器、...

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www.kiaic.com/article/detail/5314.html 2024-11-13

求电阻的公式,电阻公式有哪些?-KIA MOS管

电阻基本公式：R=ρL/S (其中,ρ表示电阻的电阻率,是由其本身性质决定,L表示电阻的长度,S表示电阻的横截面积)

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www.kiaic.com/article/detail/5313.html 2024-11-13

电路中的DVDD,DVSS,AVDD,AVSS区别-KIA MOS管

vdd，digital power input，数字电路电源输入端；vss，gnd或digital gnd，地或数字电路“地”；avdd，analog power input，模拟电路电源输入端；avss，analog gnd，模拟电路“地”；vcc，logic power，逻辑电路电源输入端。

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www.kiaic.com/article/detail/5312.html 2024-11-13

40n20参数,充电器专用mos管,KIA40N20AP场效应管现货-KIA MOS管

无线充电器专用MOS管KIA40N20AP漏源击穿电压200V，漏极电流40A，低导通电阻RDS(ON) =0.08Ω、低栅极电荷（典型值50nC），最小化开关损耗；具有快速切换能力、符合RoHS标准，稳定可靠，40n20场效应管?高效率低损耗，适用于DC-DC转换器、UPS、DC-AC转换器以及逆...

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www.kiaic.com/article/detail/5311.html 2024-11-12